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[英飛淩]英飛淩將與松下電器連袂,雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

2015/03/10

[英飛淩]英飛淩將與松下電器連袂,雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

2015/03/10

德國慕尼克和日本大阪訊——英飛淩科技股份公司和松下電器公司宣佈,兩家公司已達成協議,將聯合開發採用松下電器的常閉式(增強型)矽基板氮化鎵(GaN)電晶體結構,與英飛淩的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下,松下電器向英飛淩授予了使用其常閉型GaN電晶體結構的許可。按照這份協議的規定,兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條管道獲得採用可相容封裝的GaN功率開關。迄今為止,沒有任何其他矽基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。

 

作為新一代化合物半導體技術,矽基板GaN技術備受關注。一方面,它可以實現很高的功率密度,從而縮小設備的外形尺寸(如電源和適配器);另一方面,它是提高能效的關鍵。一般而言,基於矽基板GaN技術的功率器件適用於各種領域,從高壓工業設備,如伺服器電源(這也是600V GaN器件的潛在應用領域之一),到低壓設備,如直流-直流轉換器(如在高端消費電子產品中)。IHS發佈的市場研究報告顯示,與矽基板GaN技術相關的功率半導體市場,將以高達50%以上的複合年增長率(CAGR)增長,也就是說,到2023年,其市場容量將從2014年的1500萬美元,增至8億美元。

 

英飛淩科技股份公司電源管理及多元化市場事業部總裁Andreas Urschitz表示:“英飛淩致力於為客戶提供各式各樣、出類拔萃的產品和技術組合,包括可靠的GaN功率器件。我們堅信,增強模式矽基板GaN開關器件,結合我們相應的驅動器和優化驅動方案,將為客戶創造價值,同時,這種雙重貨源概念將説明客戶管理和穩定其供應鏈。”

 

松下電器半導體有限公司總裁Toru Nishida指出:“充分發揮我們在化合物半導體技術領域的豐富經驗,松下電器開發的常閉型GaN功率技術採用了簡單的配置和易於控制的機制。我們希望通過授權英飛淩使用我們的GaN功率技術中的常閉型GaN電晶體結構,促進GaN功率器件的推廣。我們將對常閉型GaN技術進行不斷創新,為打造滿足客戶需求的解決方案做出貢獻。”

 

關於松下電器

 

松下電器是一家致力於為住宅、非住宅、移動及個人應用客戶開發和設計電子技術和解決方案的全球領軍企業。自1918年成立以來,松下電器已將業務擴張至全球,目前在全世界範圍內經營的附屬公司有大約500家。截至2014年3月31日,其合併淨銷售額達7.74萬億日元。松下電器致力於通過跨部門創新來追求新的價值,並努力為客戶創造更美好的生活和世界。關於松下電器的更多資訊,請訪問公司網站 http://panasonic.net

 

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