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[英飛淩]英飛淩推出OptiMOS™ 5 25V和30V產品家族,其能效高達95%以上,可為穩壓器解決方案提供最高功率密度

2015/03/12

[英飛淩]英飛淩推出OptiMOS™ 5 25V和30V產品家族,其能效高達95%以上,可為穩壓器解決方案提供最高功率密度

2015/03/12

德國慕尼克訊——英飛淩科技股份公司今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V產品家族,它們是採用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。同時,英飛淩還發佈了名為Power Block的新型功率模組和集成式功率模組DrMOS 5x5。加上驅動器和數位控制器產品,英飛淩為伺服器、電腦、資料通信和電信設備等提供了完備的系統解決方案。

 

在雲計算、物聯網和社交媒體等大趨勢的推動下,現代社會對資料處理能力的需求與日俱增。伴隨而來的,是能耗大幅增加,這繼而要求提高功率轉換系統的能效。新近推出的OptiMOS 25V和30V產品重新定義了業內解決方案的性能標杆,在整個負載範圍內,其能效比上一代產品提高了1%左右,在典型的伺服器電源設計中,其峰值效率高達95%以上。這樣的性能提升得益於諸多因素,如開關損耗(Q switch)比上一代的OptiMOS技術降低了50%。舉例來說,對於一顆全年不間斷工作的130W伺服器CPU而言,採用新的OptiMOS 25V,可節約用電26.3度。按一個大型機房平均擁有5萬台伺服器計算,每年總共可以節約用電兩百六十萬度。

 

全新封裝技術

 

在發佈OptiMOS 25V和30V產品家族的同時,英飛淩還推出了能進一步節省板上空間的全新封裝技術。Power Block產品家族和集成式功率模組DrMOS 5x5均採用了這種新型封裝技術,它的低邊MOSFET採用了源極朝下的焊接方式(跟傳統相反),可極大改善散熱性能,對比SuperSO8等標準封裝,熱阻降低了50%。

 

英飛淩Power Block是一種無引線SMD封裝,它將同步直流/直流轉換器的低邊和高邊MOSFET集成到一個外形尺寸僅為5.0x6.0平方毫米的封裝中。有了Power Block,客戶可以用一個器件替換兩個標準封裝的分立器件,如SuperSO8或SO-8。從而能夠將電源設計的尺寸縮小高達85%。小巧的封裝外形和高低邊MOSFET在封裝內的優化互連,可最大限度地降低環路電感,從而實現最優的系統性能。

 

集成式功率模組DrMOS 5x5也使用了OptiMOS 5 25V,它集成了、驅動器和兩顆MOSFET,總占板空間僅為25平方毫米。這種集成的解決方案,可大大縮短客戶的產品設計週期。。此外,這種高度集成的功率模組具備+/-5°C的高精度溫度檢測(相比之下,外接器件的溫度檢測精確度為+/-10°C),這有助於進一步提高系統可靠性和性能。

 

提供完備的系統解決方案

 

英飛淩科技電源管理及多元化市場事業部副總裁兼總經理Richard Kuncic表示,“得益於大幅降低的開關損耗,OptiMOS 5產品允許工程師提高其設計的開關頻率,降低能耗,節省系統成本。加上我們的數位控制IC和驅動器產品,我們為直流/直流穩壓電源設計提供了各式各樣完善的解決方案,其中,DrMOS 5x5和Power Block是設計師首選的標準封裝尺寸的最高能效產品。”

 

 

樣品及供貨情況

 

現在已可提供採用SuperSO8、S3O8和Power Block封裝、通態電阻從0.9mΩ到3.3mΩ的全新OptiMOS 25V和30V樣品。集成類肖特基二極體的產品以及更多的30 V產品,將從2015年第二季度之後開始提供樣品。DrMOS 5x5將於2015年第二季度發佈。更多資訊請訪問 www.infineon.com/optimos5-25V30V、 www.infineon.com/powerblock和 www.infineon.com/drmos.

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