[新闻稿] 英飞凌新 Power MOSFET 实现体积更轻巧、更耐用的电器产品

2015/08/27

英飞凌新Power  MOSFET 实现体积更轻巧、更耐用的电器产品

【2015 年8 月27 日德国慕尼黑讯】– DIY 工具，如无线电钻与电锯应同时具备便利与耐用性。因此，这类应用所采用的电子组件必须具备省空间及坚固耐用的特性。英飞凌科技股份有限公司扩增StrongIRFET™ Power MOSFET 系列产品，提供符合上述需求的解决方案。该款Logic Level StrongIRFET^TM 可由微控制器直接驱动，降低了空间受限应用的复杂程度，此外还兼具了高度的耐用性，从而提高了电子装置的使用寿命。

经过试用及测试的StrongIRFET 系列产品可达到最高的能源效率。透过新推出的逻辑位准延伸产品，英飞凌让StrongIRFET 不再需要独立的驱动器，满足市场需求。逻辑位准的变化之下可将栅极源极电压降低至4.5 V，因此可在许多应用中直接连接微控制器至MOSFET。

英飞凌电源管理及多元电子事业处产品营销协理Stéphane Ernoux 表示：「Logic Level StrongIRFET 提供两项决定性的优势。它们可降低各种应用的电子设计复杂性，并展现无可匹敌的坚固耐用性。」

新产品仍具备了StrongIRFET 系列一贯的高效能特性：低导通电阻(典型：0.52 mΩ/ 最大：0.97 mΩ)可降低传导损耗，高载流能力可提升功率能力，而耐用的硅芯片则提供高系统可靠性。

规格

上市时程

本产品已经上市。有关逻辑位准StrongIRFET 的相关信息，请参阅www.infineon.com/strongirfet。