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[新聞稿] 英飛凌新 Power MOSFET 實現體積更輕巧、更耐用的電器產品

2015/08/27

英飛凌新Power  MOSFET 實現體積更輕巧、更耐用的電器產品

 

【2015 年8 月27 日德國慕尼黑訊】– DIY 工具,如無線電鑽與電鋸應同時具備便利與耐用性。因此,這類應用所採用的電子元件必須具備省空間及堅固耐用的特性。英飛凌科技股份有限公司擴增StrongIRFET™ Power MOSFET 系列產品,提供符合上述需求的解決方案。該款Logic Level StrongIRFETTM 可由微控制器直接驅動,降低了空間受限應用的複雜程度,此外還兼具了高度的耐用性,從而提高了電子裝置的使用壽命。

 

經過試用及測試的StrongIRFET 系列產品可達到最高的能源效率。透過新推出的邏輯位準延伸產品,英飛凌讓StrongIRFET 不再需要獨立的驅動器,滿足市場需求。邏輯位準的變化之下可將柵極源極電壓降低至4.5 V,因此可在許多應用中直接連接微控制器至MOSFET。

 

英飛凌電源管理及多元電子事業處產品行銷協理Stéphane Ernoux 表示:「Logic Level StrongIRFET 提供兩項決定性的優勢。它們可降低各種應用的電子設計複雜性,並展現無可匹敵的堅固耐用性。」

 

新產品仍具備了StrongIRFET 系列一貫的高效能特性:低導通電阻(典型:0.52 mΩ / 最大:0.97 mΩ)可降低傳導損耗,高載流能力可提升功率能力,而耐用的矽晶片則提供高系統可靠性。

 

 

規格

零件編號

崩潰電壓(V)

封裝(外型)

額定電流(A)

4.5 V時的典型/最大RDS(ON) (mΩ)

IRL7472L1TRPBF

40

大型CAN DirectFET™ (L8)

375

0.52/0.97

IRL7486MTRPBF

40

中型CAN DirectFET™ (ME)

209

1.5 / 2.0

IRL40B209

40

TO-220

195

1.2 / 1.6

IRL40B212

40

TO-220

195

1.9 / 2.4

IRL40S212

40

D2-PAK

195

1.9 / 2.4

IRL40B215

40

TO-220

120

2.8 / 3.5

IRL60B216

60

TO-220

195

1.7 / 2.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

上市時程

本產品已經上市。有關邏輯位準StrongIRFET 的相關資訊,請參閱www.infineon.com/strongirfet

 

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