英飛凌新Power MOSFET 實現體積更輕巧、更耐用的電器產品
【2015 年8 月27 日德國慕尼黑訊】– DIY 工具,如無線電鑽與電鋸應同時具備便利與耐用性。因此,這類應用所採用的電子元件必須具備省空間及堅固耐用的特性。英飛凌科技股份有限公司擴增StrongIRFET™ Power MOSFET 系列產品,提供符合上述需求的解決方案。該款Logic Level StrongIRFETTM 可由微控制器直接驅動,降低了空間受限應用的複雜程度,此外還兼具了高度的耐用性,從而提高了電子裝置的使用壽命。
經過試用及測試的StrongIRFET 系列產品可達到最高的能源效率。透過新推出的邏輯位準延伸產品,英飛凌讓StrongIRFET 不再需要獨立的驅動器,滿足市場需求。邏輯位準的變化之下可將柵極源極電壓降低至4.5 V,因此可在許多應用中直接連接微控制器至MOSFET。
英飛凌電源管理及多元電子事業處產品行銷協理Stéphane Ernoux 表示:「Logic Level StrongIRFET 提供兩項決定性的優勢。它們可降低各種應用的電子設計複雜性,並展現無可匹敵的堅固耐用性。」
新產品仍具備了StrongIRFET 系列一貫的高效能特性:低導通電阻(典型:0.52 mΩ / 最大:0.97 mΩ)可降低傳導損耗,高載流能力可提升功率能力,而耐用的矽晶片則提供高系統可靠性。
規格
零件編號 |
崩潰電壓(V) |
封裝(外型) |
額定電流(A) |
4.5 V時的典型/最大RDS(ON) (mΩ) |
40 |
大型CAN DirectFET™ (L8) |
375 |
0.52/0.97 |
|
40 |
中型CAN DirectFET™ (ME) |
209 |
1.5 / 2.0 |
|
40 |
TO-220 |
195 |
1.2 / 1.6 |
|
40 |
TO-220 |
195 |
1.9 / 2.4 |
|
40 |
D2-PAK |
195 |
1.9 / 2.4 |
|
40 |
TO-220 |
120 |
2.8 / 3.5 |
|
60 |
TO-220 |
195 |
1.7 / 2.2 |
上市時程
本產品已經上市。有關邏輯位準StrongIRFET 的相關資訊,請參閱www.infineon.com/strongirfet。
back