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[新聞稿] 英飛凌CoolSiC™ MOSFET 電源模組適用範圍擴增至 UPS 與儲能應用

2019/02/21

【2019 年2月21 日德國慕尼黑訊】因應市場對於碳化矽(SiC) 解決方案快速成長的需求,英飛凌科技(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出1200V CoolSiC™MOSFET 系列新產品。CoolSiC Easy 2B 電源模組協助工程師藉由提高功率密度而降低系統成本。此外,也有助於大幅降低營運成本。由於相較於矽IGBT,其開關損耗可降低約80%,因此可達到超過99% 的變頻器效率水準。也由於SiC 特性,可實現相同或甚至更高的開關頻率運作。這對於UPS 和能量儲存等快速切換應用特別具有吸引力。

 

Easy 2B 電源模組的標準封裝具有領先業界的低雜散電感特性。透過各種半橋、六單元及升壓器模組,英飛凌可提供市面上最廣泛的Easy 封裝SiC 產品組合。CoolSiC Easy 2B 的半橋配置可輕鬆用於構建四單元和六單元拓撲。新產品擴增了半橋拓撲模組的功率範圍,每個開關的導通電阻 RDS(ON)) 僅6 mΩ,為Easy 2B 封裝之裝置立下標竿效能。

 

此外,CoolSiC MOSFET 晶片的整合式本體二極體可確保低損耗飛輪功能,無需另外的二極體晶片。NTC 溫度感測器有助於監控裝置,PressFIT 技術則可縮短裝置的組裝時間。

 

供貨情形

目前CoolSiC MOSFET Easy 2B  模組已經開始供貨。英飛凌近期亦推出第一款採用Easy 1B 封裝的CoolSiC™MOSFET 六單元模組,RDS(ON) 為45 mΩ。詳細資訊請瀏覽www.infineon.com/coolsic-mosfet

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