英飞凌新Power MOSFET 实现体积更轻巧、更耐用的电器产品
【2015 年8 月27 日德国慕尼黑讯】– DIY 工具,如无线电钻与电锯应同时具备便利与耐用性。因此,这类应用所采用的电子组件必须具备省空间及坚固耐用的特性。英飞凌科技股份有限公司扩增StrongIRFET™ Power MOSFET 系列产品,提供符合上述需求的解决方案。该款Logic Level StrongIRFETTM 可由微控制器直接驱动,降低了空间受限应用的复杂程度,此外还兼具了高度的耐用性,从而提高了电子装置的使用寿命。
经过试用及测试的StrongIRFET 系列产品可达到最高的能源效率。透过新推出的逻辑位准延伸产品,英飞凌让StrongIRFET 不再需要独立的驱动器,满足市场需求。逻辑位准的变化之下可将栅极源极电压降低至4.5 V,因此可在许多应用中直接连接微控制器至MOSFET。
英飞凌电源管理及多元电子事业处产品营销协理Stéphane Ernoux 表示:「Logic Level StrongIRFET 提供两项决定性的优势。它们可降低各种应用的电子设计复杂性,并展现无可匹敌的坚固耐用性。」
新产品仍具备了StrongIRFET 系列一贯的高效能特性:低导通电阻(典型:0.52 mΩ/ 最大:0.97 mΩ)可降低传导损耗,高载流能力可提升功率能力,而耐用的硅芯片则提供高系统可靠性。
规格
零件编号 |
崩溃电压(V) |
封装(外型) |
额定电流(A) |
4.5 V时的典型/最大RDS(ON) (mΩ) |
40 |
大型CAN DirectFET™ (L8) |
375 |
0.52/0.97 |
|
40 |
中型CAN DirectFET™ (ME) |
209 |
1.5 / 2.0 |
|
40 |
TO-220 |
195 |
1.2 / 1.6 |
|
40 |
TO-220 |
195 |
1.9 / 2.4 |
|
40 |
D2-PAK |
195 |
1.9 / 2.4 |
|
40 |
TO-220 |
120 |
2.8 / 3.5 |
|
60 |
TO-220 |
195 |
1.7 / 2.2 |
上市时程
本产品已经上市。有关逻辑位准StrongIRFET 的相关信息,请参阅www.infineon.com/strongirfet。
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